北京大學(xué)成功制備性能優(yōu)越的碳納米管CMOS器件。我們提供了關(guān)鍵的HfO2高k柵介質(zhì)低溫制備方案
關(guān)鍵詞:
隱藏域元素占位
我司助力北京大學(xué)成功制備性能優(yōu)越的碳納米管CMOS器件!
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